SJ 20787-2000 半导体桥式整流器热阻测试方法
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ID： |
8813C878C1EB45BB8868FCE5E6CD8C00 |
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0.41 |
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7 |
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日期： |
2024-7-27 |
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SJ 中华人民共和国电子行业军用标准,FL 5961 SJ 20787—2000,半导体桥式整流器热阻测试方法,Measurment method for thermal resistance,of semiconductor bridge rectifieres,2000To-20 发布200070-20 实施,中华人民共和国信息产业部 批准,中华人民共和国电子行业军用标准,半导体桥式整流器热阻测试方法,SJ 20787-2000,Measurment method for thermal resistance,of semiconductor bridge rectifieres,1范围,1.1 主题内容,本标准规定了半导体桥式整流器稳态热阻的测试方法,1.2 适用范围,本标准适用于单相和三相半导体桥式整流器稳态热阻的测试,1.3 应用指南,在给岀的测试条件下,使电流交替流过单相或三相桥式整流器的单臂。整流桥在稳,态电流/〇条件下工作,当为计算热阻而取得读数时,应中断每个单臂的电流,2引用文件,GJB 128A-97半导体分立器件试验方法,3定义,本标准采用GJB 128A的定义,3.I参数符号,本测试方法所用的参数符合如下:,a.作:对结温破感的被测器件的正向偏置结电压。对于桥式整流器,应加到各个,单臂（即ー个交流对ー个直流引出端）；,b.昨ド在/ref和室温下的正向电压;,C.昨2:在，REF和高于室温100 ℃下的正向电压;,d.昨2a:在，ref和最大额定值石下的计算正向电压;,e.昨3:施加加热功率以前,在，ref和额定壳温下的初始％值;,f.昨パ施加额定电流温度稳定之后,在，REF和额定壳温下的最后昨值;,g. akf：由被测器件施加加热功率而使温度敏感参数昨值的变化,以V为单位;,h.昨H:由被测器件施加/〇而引起的最大正向电压;,i. Z〇;施加到被测器件的额定平均电流;,j. ，REF:测量昨时，加至正向偏置温度敏感二极管结的测量电流；,k. TCVF-,在/ref固定值下,与B相关的阵的电压温度系数，以V/K为单位；,中华人民共和国信息产业部2000-10-20发布2000-10-20 实施,-1 -,SJ 20787—2000,I. 7]：被测器件的结温;,m. A7]:由施加ム引起的芍的变化;,n.g:台阶踪迹时间;,〇.外:当N等于1、2、3或4时,测量ム的基准壳温;,P. 从器件结至确定的基准点（即引线或环境）的热阻,以K/W表示;,q.扁パ:从器件结至确定的管売外表面基准点的热阻,以K/W表示,4 一般要求,测试的一般要求应符合GJB 128A的第4章,5详细要求,5.I 测试设备,本测试所要求的设备如下,电路配置按图1和图2：,/〇电表的K$W炸H〃O,测量蚱时,读数的单臂号与/REF的极性、S2的位置的相互关系如下:,读数的,/ref S2 单臂号,+ A 2,+ B 3,- B 4,A 1,注:①所有电压测量应使引线（开尔文连接）直接连到整流桥的引出端,②调整厶C，使图3所示的蚱4台阶（ね）为100±50 ps,并被明确地确定。"c典型值是!0V,（峰值）。具有寄生感性元件的整流桥必须调整ム「以便在感性振铃下沉之后,使图3 1-.,蚱4台阶的セ4为!00±50 HS?,图1单相整流桥,-2 -,SJ 20787—2000,测量蚱时,读数的单臂号与/ref的极性、S2的位置的相互关系如下:,读数的读数的,REF S2 S3 单臂号/ref S2 S3 单臂号,+ A A 1 - A B 2,* B A 3 - B B 4,+ C A 5 C B 6,注:①所有电压测量应使引线（开尔文连接）直接连到整流桥的引出端,②调整厶C，使图3所示的昨4台阶（％）为100±50 RS,并被明确地确定。厶c典型值是10 V,（峰值）。具有寄生感性元件的整流桥必须调整ムC,以便在感性振铃下沉之后,使图3上,蚱4台阶的や4为100±50 RS?,图2三相整流桥,5.1.1 50 Hz正弦波交流电源（AC）或其它波形（如方波）的电源,该电源能够调整到,/〇的设计值,并能施加被测器件要求的值。在为温度稳定和测量所需的整个时间内,电流源的误差应能保持在设计电流的±2%之内,5.1.2 施加，REF的恒流源,恒流源应具有足够的电压范围,以充分导通被测二极管单臂,的结,5.1.3 具有超过，。极限值的反向并联快恢复二极管，以便在各单臂之间的，。转换期间使,/REF与大电流源隔离,5.1.4 在有效时恸间隔内（当反向并联二极管不导通时）,能够精确地进行库测量并具,有mV分辨率的电压测量电路,5.2 测试方法,参见图1和图2单相和三相整流桥式试验电路,测试步骤如下:,a.断开开关K1,被测器件处于20.30久（温度H）范围内,在电流/REF卜,读取,-3 -,SJ 20787—2000,各单臂电压品。在温度H基础上将器件温度升高100 ℃ （温度72）,允许将器华稳定,直到结温处于72。在电流，ref下读取各单臂的电压Kz。按下式计算各单臂的久叩,TCVF=（昨厂へ）/100 ℃,按下式计算4.为最大额定值下蚱2A的预期值,/arf出（に的X（/x-n）］,根据各单臂的读数确定平均TCVF和TCVF的标准偏差。如果标准偏差小于或等于,TC如平均值的3%,所有器件可以使用TCVF,如果标准偏差大于アCび平均值的3%,确定整流桥特性时应使用它们各自的值,b，当器件处于环境温度72 （由る决定的管壳温度）时,在每个单臂读取鮭3,c.闭合开关S1之后,调整电源和负载电阻,以获得……
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